СИНТЕЗ, МОЛЕКУЛЯРНАЯ И КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОННОГО СТРОЕНИЯ БИС(O→Si)ХЕЛАТНОГО БИС(2,2-ДИМЕТИЛБЕНЗО[2H]-4-ОКСО-1,3-ОКСАЗИНО-3-МЕТИЛ)ДИФТОРСИЛАНА
DOI:
https://doi.org/10.1007/7733Ключевые слова:
соединения гексакоординированного кремния, гипервалентность, квантово-химические расчеты, распределение электронной плотности, рентгеноструктурное иследование, синтезАннотация
Разработан синтез бис(O→Si)хелатного бис(2,2-диметилбензо[2H]-4-оксо-1,3-оксази-но-3-метил)дифторсилана из 2,2-диметил-3-триметилсилилбензо[2H]-1,3-оксазинона-4 и бис(хлорметил)дихлорсилана через промежуточное образование соответствующего неста-бильного бисхелатного дихлорида с последующим его гидролизом в присутствии NaHCO3 и обработкой продукта гидролиза без его выделения эфиратом трифторида бора. Анализ распределения электронной плотности показал наличие дативного связывания в обоих фрагментах O→Si–F.
Как ссылаться
Korlyukov, A. A.; Lysenko, K. A.; Antipin, M. Yu.; Shipov, A. G.; Kramarova, E. P.; Murasheva, T. P.; Negrebetskii, Vad. V.; Ovchinnikov, Yu. E.; Pogozhikh, S. A.; Yakovlev, I. P.; Baukov, Yu. I. Chem. Heterocycl. Compd. 2006, 42, 1592. [Химия гетероцикл. соединений 2006, 1866.]
Статья в английском издании журнала: DOI 10.1007/s10593-006-0283-z